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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.1A（Tc） 208.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R250C6XTMA1
  仓库库存编号：IPD65R250C6XTMA1CT-ND
  别名：IPD65R250C6XTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.1A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.1A（Tc） 208W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R250E6XTMA1
  仓库库存编号：IPD65R250E6XTMA1CT-ND
  别名：IPD65R250E6XTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16.1A（Tc） 2.5W（Ta），6.3W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4401DDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4401DDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4401DDY-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.1A（Tc）,
• 无铅
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