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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 431W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT60N60BCSG
  仓库库存编号：APT60N60BCSG-ND
  别名：APT60N60BCSGMI
  APT60N60BCSGMI-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 70A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN70N60Q2
  仓库库存编号：IXFN70N60Q2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH24N80P
  仓库库存编号：IXFH24N80P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT24N90P
  仓库库存编号：IXFT24N90P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH24N90P
  仓库库存编号：IXFH24N90P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX24N100Q3
  仓库库存编号：IXFX24N100Q3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 18A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APL1001J
  仓库库存编号：APL1001J-ND
  别名：APL1001JMI
  APL1001JMI-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK24N100Q3
  仓库库存编号：IXFK24N100Q3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP100N04-3M6_GE3
  仓库库存编号：SQP100N04-3M6_GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 800V 24A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK24N80P
  仓库库存编号：IXFK24N80P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT24N80P
  仓库库存编号：IXFT24N80P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N80P
  仓库库存编号：IXFR24N80P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 13A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N90P
  仓库库存编号：IXFR24N90P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 60A（Tc） 450W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY60NK30Z
  仓库库存编号：497-4432-5-ND
  别名：497-4432-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 60A（Tc） 431W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT60N60SCSG/TR
  仓库库存编号：APT60N60SCSG/TR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 60A（Tc） 431W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT60N60SCSG
  仓库库存编号：APT60N60SCSG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 18A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N100Q3
  仓库库存编号：IXFR24N100Q3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 50A（Tc） 1135W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB50N80Q2
  仓库库存编号：IXFB50N80Q2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 50V 60A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 50V 60A（Tc） 215W（Tc） TO-247
  
  型号：RFG60P05E
  仓库库存编号：RFG60P05E-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 38A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN38N100Q2
  仓库库存编号：IXFN38N100Q2-ND
  
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  MOSFET N-CH 55V 220A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 220A（Tc） 430W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA220N055T
  仓库库存编号：IXTA220N055T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 220A（Tc） 430W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA220N055T7
  仓库库存编号：IXTA220N055T7-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 130A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC220N055T
  仓库库存编号：IXTC220N055T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 55V 220A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 220A（Tc） 430W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH220N055T
  仓库库存编号：IXTH220N055T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 55V 220A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 220A（Tc） 430W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP220N055T
  仓库库存编号：IXTP220N055T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V,
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