产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.4A(Ta) 350mW(Tc) SOT-23
型号:
STR1P2UH7
仓库库存编号:
497-15519-1-ND
别名:497-15519-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RTR030N05TL
仓库库存编号:
RTR030N05TLCT-ND
别名:RTR030N05TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta) ES6(1.6x1.6)
型号:
SSM6K211FE,LF
仓库库存编号:
SSM6K211FELFCT-ND
别名:SSM6K211FE(TE85LFCT
SSM6K211FE(TE85LFCT-ND
SSM6K211FELFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 2.4W(Tc) PowerFlat?(2x2)
型号:
STL4P2UH7
仓库库存编号:
497-14996-1-ND
别名:497-14996-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Tc) 1.6W(Tc) SOT-23-6
型号:
STT3P2UH7
仓库库存编号:
497-15156-1-ND
别名:497-15156-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6110(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6110(TE85LFM)-ND
别名:TPC6110(TE85LFM)
TPC6110TE85LFM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4A(Ta) 1.5W(Ta) 9-DSBGA
型号:
CSD25201W15
仓库库存编号:
296-27609-1-ND
别名:296-27609-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 10V,
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