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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R950C6
  仓库库存编号：IPB60R950C6CT-ND
  别名：IPB60R950C6CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R950C6
  仓库库存编号：IPP60R950C6-ND
  别名：IPP60R950C6XKSA1
  SP000629364
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R800CEATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K0CEATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R800CE
  仓库库存编号：IPD50R800CECT-ND
  别名：IPD50R800CECT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R950C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R950C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R950C6ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 26W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R950C6
  仓库库存编号：IPA60R950C6-ND
  别名：IPA60R950C6XKSA1
  SP000629360
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.3A（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001369532
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.3A（Tc） 61W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K0CEAKMA2
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEAKMA2-ND
  别名：SP001396378
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R950C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R950C6AKMA1-ND
  别名：SP001292888
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.1A（Tc） 26.4W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA50R800CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA50R800CEXKSA2-ND
  别名：SP001217234
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R1K0CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R1K0CEXKSA1-ND
  别名：SP001429478
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R950C6
  仓库库存编号：IPD60R950C6INCT-ND
  别名：IPD60R950C6INCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 5A PG-TO220 FPK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 26.4W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA50R800CE
  仓库库存编号：IPA50R800CE-ND
  别名：IPA50R800CEXKSA1
  SP000992084
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R950C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R950C6BKMA1-ND
  别名：SP000931532
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-251
  
  型号：IPU60R1K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEBKMA1-ND
  别名：SP001276056
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 100V,
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