以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R600C6
  仓库库存编号：IPB60R600C6CT-ND
  别名：IPB60R600C6CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R600C6
  仓库库存编号：IPD65R600C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R600C6CT
  IPD65R600C6CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600C6
  仓库库存编号：IPP60R600C6-ND
  别名：IPP60R600C6XKSA1
  SP000645074
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 7A 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：CDM7-600LR TR13
  仓库库存编号：CDM7-600LR TR13CT-ND
  别名：CDM7-600LR TR13CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600E6
  仓库库存编号：IPD60R600E6CT-ND
  别名：IPD60R600E6CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001276044
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA65R600E6
  仓库库存编号：IPA65R600E6-ND
  别名：IPA65R600E6XKSA1
  SP000799140
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
  详细描述：N 沟道 9.9A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN60R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAN60R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001508816
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN65R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAN65R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001508828
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R600C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R600C6BKMA1-ND
  别名：SP000931534
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600C6ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 28W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA65R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001295804
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 82W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R650CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R650CEBTMA1-ND
  别名：SP001369530
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R650CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD65R650CEAUMA1-ND
  别名：SP001396908
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.1A（Tc） 86W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD65R650CEATMA1-ND
  别名：SP001295798
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 650V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 10.1A（Tc） 86W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS65R650CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS65R650CEAKMA1-ND
  别名：SP001422888
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R600C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R600C6AKMA1-ND
  别名：SP001292878
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） TO-252
  
  型号：IPD60R600E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600E6ATMA1-ND
  别名：SP001117094
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R600E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD65R600E6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R600E6BTMA1CT
  IPD65R600E6CT
  IPD65R600E6CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R600E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R600E6ATMA1-ND
  别名：SP001117096
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） Thin-PAK（5x6）
  
  型号：IPL65R650C6SATMA1
  仓库库存编号：IPL65R650C6SATMA1-ND
  别名：SP001163082
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS65R600E6AKMA1
  仓库库存编号：IPS65R600E6AKMA1-ND
  别名：SP001273092
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 63W（Tc） Thin-Pak（8x8）
  
  型号：IPL65R660E6AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R660E6AUMA1-ND
  别名：SP000895212
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R600C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R600C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R600C6CT
  IPB65R600C6CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R650CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R650CEATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 100V,
• 无铅
• 搜索