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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：SIHU6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHU6N65E-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N65E-GE3-ND
  别名：SIHD6N65E-GE3CT
  SIHD6N65E-GE3CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Tc） 96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIHJ7N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHJ7N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHJ7N65E-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB6N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB6N65E-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHF6N65E-GE3-ND
  别名：SIHF6N65E-GE3CT
  SIHF6N65E-GE3CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD6N65ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N65ET1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD6N65ET4-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N65ET4-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD6N65ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N65ET5-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 100V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP6N65E-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 100V,
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