产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(3)
TO-220-3(3)
TO-247-3(5)
TO-3P-3，SC-65-3(2)
TO-264-3，TO-264AA(3)
SOT-227-4，miniBLOC(2)
SP1(2)
TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB(2)
ISOPLUS247?(3)
ISOPLUS220?(1)
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STMicroelectronics(1)
Nexperia USA Inc.(2)
Microsemi Corporation(2)
IXYS(21)
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表面贴装(5)
通孔(17)
底座安装(4)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(4)
-55°C ~ 175°C（TJ）(19)
175°C（TJ）(1)
-40°C ~ 150°C（TJ）(2)
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-(2)
STripFET??(1)
TrenchMOS??(1)
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?(1)
TrenchMV??(9)
HiPerFET??(4)
PolarHT??(1)
HiPerFET?，PolarP2?(4)
TrenchT2??(2)
Polar??(1)
重新选择
剪切带（CT） (1)
散装 (3)
管件 (22)
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在售(13)
过期(13)
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D2PAK(1)
TO-220AB(3)
TO-247-3(1)
TO-263（IXTA）(2)
TO-3P(2)
TO-247（IXTH）(2)
TO-264（IXTK）(1)
PLUS247?-3(2)
TO-264AA（IXFK）(2)
SOT-227B(2)
SP1(2)
ISOPLUS247?(3)
ISOPLUS220?(1)
TO-263-7（IXTA..7）(2)
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MOSFET（金属氧化物）(26)
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±30V(2)
±20V(22)
±16V(2)
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-(2)
240nC @ 10V(1)
152nC @ 10V(5)
170nC @ 10V(10)
123nC @ 10V(2)
189nC @ 10V(1)
235nC @ 10V(5)
重新选择
7 毫欧 @ 25A，10V(1)
7.5 毫欧 @ 100A，10V(3)
5 毫欧 @ 25A，10V(5)
7.6 毫欧 @ 25A，10V(1)
4 毫欧 @ 50A，10V(1)
3.6 毫欧 @ 25A，10V(5)
10 毫欧 @ 40A，10V(1)
9 毫欧 @ 100A，10V(1)
300 毫欧 @ 13.5A，10V(1)
320 毫欧 @ 500mA，10V(3)
8 毫欧 @ 60A，10V(1)
7.5 毫欧 @ 500mA，10V(1)
150 毫欧 @ 22.5A，10V(1)
108 毫欧 @ 26A，10V(1)
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10V(25)
4.5V，10V(1)
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N 沟道(26)
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120A（Tc）(1)
45A（Tc）(1)
52A（Tc）(1)
100A（Tc）(2)
27A（Tc）(4)
80A（Tc）(1)
200A（Tc）(9)
240A（Tc）(5)
132A（Tc）(1)
133A（Tc）(1)
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7600pF @ 25V(26)
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-(26)
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4V @ 250μA(11)
2.8V @ 1mA(2)
4V @ 1mA(1)
4.5V @ 4mA(4)
5V @ 500μA(2)
5V @ 8mA(4)
4V @ 2.5mA(2)
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250W（Tc）(1)
150W（Tc）(1)
300W（Tc）(2)
480W（Tc）(10)
800W（Tc）(1)
830W（Tc）(2)
568W（Tc）(2)
680W（Tc）(1)
520W（Tc）(1)
500W（Tc）(3)
204W（Tc）(2)
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75V(2)
100V(6)
60V(1)
600V(1)
800V(4)
500V(1)
85V(5)
55V(6)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 100A（Tc） 204W（Tc） D2PAK
型号：
BUK6607-75C,118
仓库库存编号：
1727-5514-1-ND
别名：1727-5514-1
568-6993-1
568-6993-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK200N10P
仓库库存编号：
IXFK200N10P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX200N10P
仓库库存编号：
IXFX200N10P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 800W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK200N10P
仓库库存编号：
IXTK200N10P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR200N10P
仓库库存编号：
IXTR200N10P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 133A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR200N10P
仓库库存编号：
IXFR200N10P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 27A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX27N80Q
仓库库存编号：
IXFX27N80Q-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK27N80Q
仓库库存编号：
IXFK27N80Q-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 27A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR27N80Q
仓库库存编号：
IXFR27N80Q-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 200A（Tc） 680W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN200N10P
仓库库存编号：
IXFN200N10P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 27A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN27N80Q
仓库库存编号：
IXFN27N80Q-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 45A（Tc） 568W（Tc） SP1
型号：
APTML60U12R020T1AG
仓库库存编号：
APTML60U12R020T1AG-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 52A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 52A（Tc） 568W（Tc） SP1
型号：
APTML50UM90R020T1AG
仓库库存编号：
APTML50UM90R020T1AG-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
型号：
STW80NE06-10
仓库库存编号：
497-2790-5-ND
别名：497-2790-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 200A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 200A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA200N085T
仓库库存编号：
IXTA200N085T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 200A（Tc） 480W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
型号：
IXTA200N085T7
仓库库存编号：
IXTA200N085T7-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 240A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA240N055T
仓库库存编号：
IXTA240N055T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 240A（Tc） 480W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
型号：
IXTA240N055T7
仓库库存编号：
IXTA240N055T7-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 132A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXTC240N055T
仓库库存编号：
IXTC240N055T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 200A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 85V 200A（Tc） 480W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH200N085T
仓库库存编号：
IXTH200N085T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 55V 240A（Tc） 480W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH240N055T
仓库库存编号：
IXTH240N055T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 200A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 200A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP200N085T
仓库库存编号：
IXTP200N085T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 240A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP240N055T
仓库库存编号：
IXTP240N055T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 85V 200A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ200N085T
仓库库存编号：
IXTQ200N085T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 55V 240A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ240N055T
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IXTQ240N055T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V,
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