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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 27A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 27A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP29N08T,127
  仓库库存编号：1727-4645-ND
  别名：1727-4645
  568-5762
  568-5762-5
  568-5762-5-ND
  568-5762-ND
  934057126127
  PHP29N08T
  PHP29N08T,127-ND
  PHP29N08T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB29N08T,118
  仓库库存编号：1727-3056-1-ND
  别名：1727-3056-1
  568-2190-1
  568-2190-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N60CTM_WS
  仓库库存编号：FQD6N60CTM_WS-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N60C
  仓库库存编号：FQP6N60C-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR812TRPBF
  仓库库存编号：IRFR812TRPBFCT-ND
  别名：IRFR812TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB812PBF
  仓库库存编号：IRFB812PBF-ND
  别名：SP001563948
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N60C
  仓库库存编号：FQPF6N60C-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI6N60CTU
  仓库库存编号：FQI6N60CTU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N60CTM
  仓库库存编号：FQB6N60CTM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N60CTM
  仓库库存编号：FQD6N60CTM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N60C_F080
  仓库库存编号：FQP6N60C_F080-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25D
  仓库库存编号：IRFR12N25D-ND
  别名：*IRFR12N25D
  SP001572818
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU12N25D
  仓库库存编号：IRFU12N25D-ND
  别名：*IRFU12N25D
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DPBF
  仓库库存编号：IRFR12N25DPBF-ND
  别名：*IRFR12N25DPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU12N25DPBF
  仓库库存编号：IRFU12N25DPBF-ND
  别名：*IRFU12N25DPBF
  SP001557708
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DCPBF
  仓库库存编号：IRFR12N25DCPBF-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DTRRP
  仓库库存编号：IRFR12N25DTRRP-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DCTRRP
  仓库库存编号：IRFR12N25DCTRRP-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DTRLP
  仓库库存编号：IRFR12N25DTRLP-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DCTRLP
  仓库库存编号：IRFR12N25DCTRLP-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR12N25DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR12N25DTRPBF-ND
  别名：SP001556902
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 810pF @ 25V,
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