产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN015-100P,127
仓库库存编号:
1727-4654-ND
别名:1727-4654
568-5771
568-5771-5
568-5771-5-ND
568-5771-ND
934055640127
PSMN015-100P
PSMN015-100P,127-ND
PSMN015-100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN015-100B,118
仓库库存编号:
1727-4771-1-ND
别名:1727-4771-1
568-5949-1
568-5949-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
MTB50P03HDLT4G
仓库库存编号:
MTB50P03HDLT4GOSCT-ND
别名:MTB50P03HDLT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 110V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN015-110P,127
仓库库存编号:
1727-4655-ND
别名:1727-4655
568-5772
568-5772-ND
934057141127
PSMN015-110P
PSMN015-110P,127-ND
PSMN015-110P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ120N15T
仓库库存编号:
IXTQ120N15T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ120N15P
仓库库存编号:
IXTQ120N15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH120N15P
仓库库存编号:
IXFH120N15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT120N15P
仓库库存编号:
IXTT120N15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXFT120N15P
仓库库存编号:
IXFT120N15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 23A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 23A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH23N80Q
仓库库存编号:
IXFH23N80Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 33A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 33A(Tc) 416W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK33N50
仓库库存编号:
IXTK33N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 23A(Tc) 500W(Tc) TO-268
型号:
IXFT23N80Q
仓库库存编号:
IXFT23N80Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 30V 50A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
MTP50P03HDL
仓库库存编号:
MTP50P03HDLOS-ND
别名:MTP50P03HDLOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 50A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
MTB50P03HDLT4
仓库库存编号:
MTB50P03HDLT4OSCT-ND
别名:MTB50P03HDLT4OSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 30V 50A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
MTP50P03HDLG
仓库库存编号:
MTP50P03HDLGOS-ND
别名:MTP50P03HDLGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 250V 65A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK2511DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK2511DPK-00#T0-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V,
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