产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-261-4，TO-261AA(4)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(17)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(10)
TO-220-3(6)
TO-220-3 整包(2)
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）(2)
SOT-23-6(2)
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）(1)
4-DIP（0.300"，7.62mm）(4)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(6)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(3)
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STMicroelectronics(4)
Fairchild/ON Semiconductor(10)
On Semiconductor(2)
Vishay Siliconix(34)
Exar Corporation(1)
Infineon Technologies(6)
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表面贴装(33)
通孔(24)
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-(4)
-55°C ~ 150°C（TJ）(52)
150°C（TJ）(1)
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-(37)
SuperMESH??(4)
QFET?(10)
HEXFET?(6)
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剪切带（CT） (8)
散装 (1)
带卷（TR） (19)
管件 (28)
带盒（TB） (1)
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在售(24)
过期(33)
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SOT-223(1)
D-Pak(17)
D2PAK(9)
TO-220-3(1)
TO-220AB(5)
TO-220FP(1)
TO-92-3(3)
SOT-223-4(1)
SOT-223（TO-261）(2)
D2PAK（TO-263AB）(1)
TO-220F(1)
I-Pak(2)
4-DIP，Hexdip，HVMDIP(4)
TO-251AA(4)
Micro6?（TSOP-6）(1)
Micro6?（SOT23-6）(1)
I2PAK(3)
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MOSFET（金属氧化物）(57)
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±30V(17)
±20V(40)
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10nC @ 10V(4)
17nC @ 10V(10)
12nC @ 10V(12)
7.5nC @ 10V(1)
6.2nC @ 10V(6)
7.4nC @ 10V(2)
11nC @ 10V(9)
8.9nC @ 10V(9)
5.2nC @ 10V(4)
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8 欧姆 @ 750mA， 10V(1)
11.5 欧姆 @ 500mA，10V(3)
11.5 欧姆 @ 100mA，10V(1)
11.5 欧姆 @ 150mA，10V(2)
200 毫欧 @ 1.6A，10V(1)
3.6 欧姆 @ 1A，10V(12)
3 欧姆 @ 1.1A，10V(7)
3.6 欧姆 @ 1.2A，10V(8)
180 毫欧 @ 1.6A，10V(1)
8 欧姆 @ 700mA，10V(6)
3 欧姆 @ 240mA，10V(2)
3.6 欧姆 @ 210mA，10V(2)
3 欧姆 @ 900mA，10V(7)
2.2 欧姆 @ 1.15A，10V(1)
2.2 欧姆 @ 1.4A，10V(3)
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10V(55)
4.5V，10V(2)
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N 沟道(39)
P 沟道(18)
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300mA（Tc）(4)
400mA（Tc）(1)
1A（Tc）(3)
2A（Tc）(8)
350mA（Ta）(2)
200mA（Tc）(1)
1.7A（Ta）(4)
1.4A（Tc）(3)
2.3A（Tc）(1)
2.4A（Ta）(1)
1.7A（Tc）(8)
2.3A（Ta）(1)
1.5A（Tc）(1)
1.8A（Tc）(7)
400mA（Ta）(2)
1.9A（Tc）(7)
2.8A（Tc）(3)
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170pF @ 25V(57)
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-(57)
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4.5V @ 50μA(6)
4V @ 250μA(45)
1V @ 250μA(2)
5V @ 250μA(4)
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-(2)
45W（Tc）(3)
1W（Ta）(4)
3W（Tc）(1)
1.7W（Ta）(2)
2W（Tc）(2)
36W（Tc）(2)
20W（Tc）(4)
2.5W（Ta），28W（Tc）(3)
2.5W（Ta），25W（Tc）(19)
2.1W（Tc）(1)
1W（Ta），3W（Tc）(2)
27W（Tc）(1)
3.1W（Ta），36W（Tc）(5)
3W（Ta），20W（Tc）(4)
3.13W（Ta），45W（Tc）(2)
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200V(16)
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250V(4)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Exar Corporation
MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 20W（Tc） SOT-223
型号：
XR46000ESETR
仓库库存编号：
1016-2071-1-ND
别名：1016-2071-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
型号：
FQD1N60CTM
仓库库存编号：
FQD1N60CTMCT-ND
别名：FQD1N60CTMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 2.1W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT1N60CTF_WS
仓库库存编号：
FQT1N60CTF_WSCT-ND
别名：FQT1N60CTF_WSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tc） 1W（Ta），3W（Tc） TO-92-3
型号：
FQN1N60CTA
仓库库存编号：
FQN1N60CTACT-ND
别名：FQN1N60CTACT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR310TRPBF
仓库库存编号：
IRFR310PBFCT-ND
别名：*IRFR310TRPBF
IRFR310PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9210TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9210PBFCT-ND
别名：*IRFR9210TRPBF
IRFR9210PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF710PBF
仓库库存编号：
IRF710PBF-ND
别名：*IRF710PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRLMS5703TRPBF
仓库库存编号：
IRLMS5703PBFCT-ND
别名：*IRLMS5703TRPBF
IRLMS5703PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
型号：
STQ2NK60ZR-AP
仓库库存编号：
497-12345-3-ND
别名：497-12345-3
STQ2NK60ZRAP
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
型号：
FQU1N60CTU
仓库库存编号：
FQU1N60CTUFS-ND
别名：FQU1N60CTU-ND
FQU1N60CTUFS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 400mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9210PBF
仓库库存编号：
IRFD9210PBF-ND
别名：*IRFD9210PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD310PBF
仓库库存编号：
IRFD310PBF-ND
别名：*IRFD310PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
STD2NK60Z-1
仓库库存编号：
497-12555-5-ND
别名：497-12555-5
STD2NK60Z-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF2NK60Z
仓库库存编号：
497-12576-5-ND
别名：497-12576-5
STF2NK60Z-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU310PBF
仓库库存编号：
IRFU310PBF-ND
别名：*IRFU310PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 1.8A（Tc） 20W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9610PBF
仓库库存编号：
IRF9610PBF-ND
别名：*IRF9610PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Tc） 3W（Ta），20W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9610SPBF
仓库库存编号：
IRF9610SPBF-ND
别名：IRF9610SPBFCT
IRF9610SPBFCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF710SPBF
仓库库存编号：
IRF710SPBF-ND
别名：*IRF710SPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.3A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 2.3A（Tc） 27W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF3N25
仓库库存编号：
FQPF3N25-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR310TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR310TRLPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9210PBF
仓库库存编号：
IRFU9210PBF-ND
别名：*IRFU9210PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF710STRLPBF
仓库库存编号：
IRF710STRLPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
STP2NK60Z
仓库库存编号：
497-4377-5-ND
别名：497-4377-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 2A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF710
仓库库存编号：
IRF710-ND
别名：*IRF710
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 200V 1.8A（Tc） 20W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9610
仓库库存编号：
IRF9610-ND
别名：*IRF9610
IRF9611
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V,
含铅
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