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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5415AEDU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5415AEDU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5415AEDU-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4300pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN4R712MD,L1Q
  仓库库存编号：TPN4R712MDL1QCT-ND
  别名：TPN4R712MDL1QCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4300pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5415EDU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5415EDU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5415EDU-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4300pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE820DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE820DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE820DF-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4300pF @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0330DPB-01#J0
  仓库库存编号：RJK0330DPB-01#J0CT-ND
  别名：RJK0330DPB-01#J0CT
  RJK0330DPB01J0
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4300pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE820DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE820DF-T1-E3CT-ND
  别名：SIE820DF-T1-E3CT
  SIE820DFT1E3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4300pF @ 10V,
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