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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 20V 6A UF6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） UF6
  
  型号：SSM6J414TU,LF
  仓库库存编号：SSM6J414TULFCT-ND
  别名：SSM6J414TU,LFCT
  SSM6J414TULF(TCT
  SSM6J414TULF(TCT-ND
  SSM6J414TULFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1650pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8129,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8129LQ(S-ND
  别名：TPC8129LQ(S
  TPC8129LQS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1650pF @ 10V,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP202-TL-H
  仓库库存编号：869-1078-1-ND
  别名：869-1078-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1650pF @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta） 15W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2116H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2116H-EL-E-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1650pF @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 20A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 20A（Tc） 1.2W（Ta），38W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP20P04SLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP20P04SLG-E1-AY-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1650pF @ 10V,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 20A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 20A（Tc） 1.2W（Ta），38W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP20P06SLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP20P06SLG-E1-AY-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1650pF @ 10V,
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