产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 500V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R1K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 13W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R4K5P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R4K5P7AKMA1-ND
别名:SP001422748
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K4P7AKMA1-ND
别名:SP001422742
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R1K4P7XKSA1-ND
别名:SP001422718
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 24W(Tc) TO-220-3F
型号:
IPA80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K4P7XKSA1-ND
别名:SP001422546
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 500V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R1K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R1K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R1K4P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 500V,
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