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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI5060
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.76A (Ta)，89.5A (Tc) 2.8W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH6009LPS-13
  仓库库存编号：DMTH6009LPS-13DICT-ND
  别名：DMTH6009LPS-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.8A（Ta） 1.25W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMT69M8LSS-13
  仓库库存编号：DMT69M8LSS-13DICT-ND
  别名：DMT69M8LSS-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.3A（Ta），57A（Tc） 2.6W（Ta） TO-252
  
  型号：DMT6009LK3-13
  仓库库存编号：DMT6009LK3-13DICT-ND
  别名：DMT6009LK3-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.8A（Ta） 1.25W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMT6009LSS-13
  仓库库存编号：DMT6009LSS-13DICT-ND
  别名：DMT6009LSS-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Ta），70A（Tc） 2.3W（Ta）, 113W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT69M8LPS-13
  仓库库存编号：DMT69M8LPS-13DICT-ND
  别名：DMT69M8LPS-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），87A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT6009LPS-13
  仓库库存编号：DMT6009LPS-13DICT-ND
  别名：DMT6009LPS-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 11A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），34A（Tc） 2.08W（Ta），19.2W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT6009LFG-7
  仓库库存编号：DMT6009LFG-7DICT-ND
  别名：DMT6009LFG-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 14.2A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.2A（Ta），59A（Tc） 3.2W（Ta）, 60W（Tc） TO-252
  
  型号：DMTH6009LK3-13
  仓库库存编号：DMTH6009LK3-13DICT-ND
  别名：DMTH6009LK3-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.2A（Ta），59A（Tc） 3.2W（Ta）, 60W（Tc） TO-252
  
  型号：DMTH6009LK3Q-13
  仓库库存编号：DMTH6009LK3Q-13DICT-ND
  别名：DMTH6009LK3Q-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 37.2A（Tc） 2.2W（Ta）, 25W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMT6009LCT
  仓库库存编号：DMT6009LCTDI-5-ND
  别名：DMT6009LCTDI-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 42W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT69M8LFV-13
  仓库库存编号：DMT69M8LFV-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 42W（Tc） PowerDI3333-8
  
  型号：DMT69M8LFV-7
  仓库库存编号：DMT69M8LFV-7-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V,
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