产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11550pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH240N10F7-6
仓库库存编号:
497-15312-1-ND
别名:497-15312-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11550pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) TO-247
型号:
STW240N10F7
仓库库存编号:
STW240N10F7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11550pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH240N10F7-2
仓库库存编号:
497-15143-1-ND
别名:497-15143-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11550pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 120A(Tc) 278W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N08S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N08S403ATMA1-ND
别名:SP000989104
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11550pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 278W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N08S403AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N08S403AKSA1-ND
别名:SP000989106
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11550pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 180A(Tc) 277W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N08S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N08S402ATMA1-ND
别名:SP000983458
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11550pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 278W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N08S403AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N08S403AKSA1-ND
别名:SP000989108
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11550pF @ 25V,
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