产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7300pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
FDB024N04AL7
仓库库存编号:
FDB024N04AL7CT-ND
别名:FDB024N04AL7CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S3-03
仓库库存编号:
IPB80N04S303ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S3-03CT
IPB80N04S3-03CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7300pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP100N10
仓库库存编号:
FDP100N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 20A(Tc) 660W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH20N100P
仓库库存编号:
IXFH20N100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 660W(Tc) TO-268
型号:
IXFT20N100P
仓库库存编号:
IXFT20N100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 11A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR20N100P
仓库库存编号:
IXFR20N100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 560W(Tc) MAX247?
型号:
STY60NM60
仓库库存编号:
497-3268-5-ND
别名:497-3268-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7300pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 60A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 550V 60A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK60N55Q2
仓库库存编号:
IXFK60N55Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7300pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 70A(Tc) 600W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE70NM60
仓库库存编号:
497-3173-5-ND
别名:497-3173-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S303AKSA1-ND
别名:IPI80N04S3-03
IPI80N04S3-03-ND
SP000261238
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7300pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S303AKSA1-ND
别名:IPP80N04S3-03
IPP80N04S3-03-ND
IPP80N04S303
SP000261229
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7300pF @ 25V,
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