产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P20TM
仓库库存编号:
FQD5P20TMCT-ND
别名:FQD5P20TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP149H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP149H6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU5P20TU
仓库库存编号:
FQU5P20TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.13A(Ta) 2W(Tc) SOT-223-4
型号:
IRLM220ATF
仓库库存编号:
IRLM220ATFCT-ND
别名:IRLM220ATFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP149H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSP149H6906XTSA1CT-ND
别名:BSP149H6906XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6009ENX
仓库库存编号:
R6009ENX-ND
别名:R6009ENXCT
R6009ENXCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.4A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 3.4A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5P20
仓库库存编号:
FQPF5P20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6009ENJTL
仓库库存编号:
R6009ENJTLCT-ND
别名:R6009ENJTLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PCH 500V 2A MOSFET
详细描述:通孔 P 沟道 2.15A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5P20RDTU
仓库库存编号:
FQPF5P20RDTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6.1A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF737LC
仓库库存编号:
IRF737LC-ND
别名:*IRF737LC
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 300V 6.1A(Tc) I2PAK
型号:
IRF737LCL
仓库库存编号:
IRF737LCL-ND
别名:*IRF737LCL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 6.1A(Tc) D2PAK
型号:
IRF737LCS
仓库库存编号:
IRF737LCS-ND
别名:*IRF737LCS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 6.1A(Tc) D2PAK
型号:
IRF737LCSTRL
仓库库存编号:
IRF737LCSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 6.1A(Tc) D2PAK
型号:
IRF737LCSTRR
仓库库存编号:
IRF737LCSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 300V 6.1A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF737LCPBF
仓库库存编号:
IRF737LCPBF-ND
别名:*IRF737LCPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P20TF
仓库库存编号:
FQD5P20TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 4.8A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 200V 4.8A(Tc) 75W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP5P20
仓库库存编号:
FQP5P20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N30TM
仓库库存编号:
FQD5N30TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N30TF
仓库库存编号:
FQD5N30TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 4.8A(Tc) 3.13W(Ta),75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5P20TM
仓库库存编号:
FQB5P20TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 3.9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 300V 3.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N30
仓库库存编号:
FQPF5N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 300V 5.4A(Tc) 3.13W(Ta),70W(Tc) I2PAK
型号:
FQI5N30TU
仓库库存编号:
FQI5N30TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 5.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 300V 5.4A(Tc) 70W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP5N30
仓库库存编号:
FQP5N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 5.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 5.4A(Tc) 3.13W(Ta),70W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N30TM
仓库库存编号:
FQB5N30TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P20TM_F080
仓库库存编号:
FQD5P20TM_F080-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V,
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