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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_55/60V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD15N06S2L64ATMA2
  仓库库存编号：IPD15N06S2L64ATMA2CT-ND
  别名：IPD15N06S2L64ATMA2CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 354pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 41W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMN60H3D5SK3-13
  仓库库存编号：DMN60H3D5SK3-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 354pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 41W（Tc） TO-251
  
  型号：DMG3N60SJ3
  仓库库存编号：DMG3N60SJ3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 354pF @ 25V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.3A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMG3N60SCT
  仓库库存编号：DMG3N60SCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 354pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD15N06S2L64ATMA1
  仓库库存编号：IPD15N06S2L64ATMA1TR-ND
  别名：IPD15N06S2L-64
  IPD15N06S2L-64-ND
  SP000252162
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 354pF @ 25V,
• 无铅
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