产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 40V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. (1)
Infineon Technologies (7)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A
详细描述:表面贴装 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD096N08N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP100N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP100N08N3GXKSA1-ND
别名:IPP100N08N3 G
IPP100N08N3 G-ND
IPP100N08N3G
SP000680856
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 40A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA100N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA100N08N3GXKSA1-ND
别名:IPA00N08N3GXKSA1-ND
IPA1-ND00N08N3GXKSA1-ND
IPA100N08N3 G
IPA100N08N3 G-ND
IPA100N08N3G
SP000473900
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 40V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 54A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 10A(Ta),54A(Tc) 3.1W(Ta),150W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4180
仓库库存编号:
785-1219-1-ND
别名:785-1219-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD096N08N3 G
IPD096N08N3 G-ND
SP000474196
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI100N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI100N08N3 G
IPI100N08N3 G-ND
SP000474192
SP000680710
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU103N08N3 G
仓库库存编号:
IPU103N08N3 G-ND
别名:SP000521640
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 40V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB097N08N3 G
仓库库存编号:
IPB097N08N3 GCT-ND
别名:IPB097N08N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2410pF @ 40V,
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