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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R520C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R520C6ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 512pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8.1A（Tc） 29W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R520E6
  仓库库存编号：IPA60R520E6-ND
  别名：IPA60R520E6XKSA1
  SP000797614
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 512pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R520C6
  仓库库存编号：IPP60R520C6-ND
  别名：IPP60R520C6XKSA1
  SP000645068
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 512pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R520E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R520E6XKSA1-ND
  别名：IPP60R520E6
  IPP60R520E6-ND
  SP000797294
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 512pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 29W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R520C6
  仓库库存编号：IPA60R520C6-ND
  别名：IPA60R520C6XKSA1
  SP000645072
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 512pF @ 100V,
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  MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R520C6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R520C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R520C6BTMA1CT
  IPD60R520C6CT
  IPD60R520C6CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 512pF @ 100V,
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