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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD12CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPD12CN10NGATMA1CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4320pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP12CN10N G
  仓库库存编号：IPP12CN10N G-ND
  别名：IPP12CN10NGX
  IPP12CN10NGXK
  SP000096468
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4320pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB12CN10N G
  仓库库存编号：IPB12CN10N G-ND
  别名：SP000096450
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4320pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD12CN10NGBUMA1
  仓库库存编号：IPD12CN10NGBUMA1TR-ND
  别名：IPD12CN10N G
  IPD12CN10N G-ND
  SP000096476
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4320pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI12CN10N G
  仓库库存编号：IPI12CN10N G-ND
  别名：SP000208928
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4320pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS118N10N G
  仓库库存编号：IPS118N10N G-ND
  别名：SP000475890
  SP000680974
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4320pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP12CN10NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP12CN10NGXKSA1-ND
  别名：SP000680866
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4320pF @ 50V,
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