产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPDH4N03LAG
仓库库存编号:
IPDH4N03LAGINCT-ND
别名:IPDH4N03LAGINCT
IPDH4N03LAGXTINCT
IPDH4N03LAGXTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP055N03LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP055N03LGXKSA1-ND
别名:IPP055N03L G
IPP055N03LGIN
IPP055N03LGIN-ND
IPP055N03LGXK
SP000680806
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E120ATTB
仓库库存编号:
RQ3E120ATTBCT-ND
别名:RQ3E120ATTBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD050N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD050N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD050N03LGINCT
IPD050N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD050N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD050N03LGBTMA1-ND
别名:SP000254716
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB055N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPB055N03LGATMA1TR-ND
别名:IPB055N03L G
IPB055N03LGINTR
IPB055N03LGINTR-ND
IPB055N03LGXT
SP000304110
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD05N03LB G
仓库库存编号:
IPD05N03LB G-ND
别名:IPD05N03LBGXT
SP000016410
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS05N03LB G
仓库库存编号:
IPS05N03LB G-ND
别名:IPS05N03LBGX
SP000220140
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH4N03LA G
仓库库存编号:
IPSH4N03LA G-ND
别名:IPSH4N03LAGX
SP000016331
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS050N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS050N03LGAKMA1-ND
别名:IPS050N03L G
IPS050N03LGIN
IPS050N03LGIN-ND
IPS050N03LGXK
SP000810848
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU050N03L G
仓库库存编号:
IPU050N03LGIN-ND
别名:IPU050N03LGIN
IPU050N03LGXK
SP000271468
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 19A(Ta),98A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC883N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC883N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC883N03MS GCT
BSC883N03MS GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V,
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