产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-220-3 隔离片(1)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(1)
TO-220-3(1)
TO-247-3(6)
TO-3P-3，SC-65-3(3)
TO-264-3，TO-264AA(1)
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA(4)
TO-220-3（SMT）标片(4)
PLUS-220SMD(4)
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STMicroelectronics(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
IXYS(21)
Renesas Electronics America(1)
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表面贴装(9)
通孔(16)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(22)
-55°C ~ 175°C（TJ）(1)
175°C（TJ）(1)
150°C（TJ）(1)
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-(1)
STripFET?? II(1)
STripFET??(1)
UniFET??(1)
HiPerFET??(3)
HiPerFET?，PolarHT?(4)
PolarHV??(14)
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散装 (1)
带卷（TR） (1)
管件 (23)
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D2PAK(1)
TO-220AB(1)
TO-3PN(1)
TO-3P(2)
TO-247（IXTH）(2)
TO-247AD（IXFH）(3)
TO-268(4)
PLUS247?-3(1)
TO-264AA（IXFK）(1)
TO-220 隔离的标片(1)
PLUS220(4)
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MOSFET（金属氧化物）(25)
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±30V(22)
±20V(1)
±15V(2)
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85nC @ 10V(1)
72nC @ 10V(9)
146nC @ 10V(3)
75nC @ 10V(1)
70nC @ 10V(9)
70nC @ 4.5V(1)
70nC @ 5V(1)
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14 毫欧 @ 30A，10V(2)
190 毫欧 @ 12A，10V(1)
200 毫欧 @ 15A，10V(9)
270 毫欧 @ 500mA，10V(9)
6.5 毫欧 @ 41A，10V(1)
30 毫欧 @ 44A，10V(3)
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10V(23)
5V，10V(2)
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N 沟道(25)
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24A（Tc）(1)
60A（Tc）(2)
26A（Tc）(9)
30A（Tc）(9)
88A（Tc）(3)
82A（Ta）(1)
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4150pF @ 25V(25)
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-(25)
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-(1)
2.5V @ 250μA(2)
5V @ 250μA(11)
5V @ 4mA(8)
4V @ 4mA(3)
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150W（Tc）(2)
460W（Tc）(18)
270W（Tc）(1)
500W（Tc）(3)
1.5W（Ta），156W（Tc）(1)
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200V(3)
60V(3)
600V(9)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 270W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA24N50
仓库库存编号：
FDA24N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50P
仓库库存编号：
IXFH30N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH26N60P
仓库库存编号：
IXFH26N60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 82A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 82A（Ta） 1.5W（Ta），156W（Tc） TO-220 隔离的标片
型号：
N0604N-S19-AY
仓库库存编号：
N0604N-S19-AY-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH30N50P
仓库库存编号：
IXTH30N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH26N60P
仓库库存编号：
IXTH26N60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ30N50P
仓库库存编号：
IXTQ30N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ26N60P
仓库库存编号：
IXTQ26N60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50P
仓库库存编号：
IXFT30N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT26N60P
仓库库存编号：
IXFT26N60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXTT30N50P
仓库库存编号：
IXTT30N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXTT26N60P
仓库库存编号：
IXTT26N60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 88A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH88N20Q
仓库库存编号：
IXFH88N20Q-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 88A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK88N20Q
仓库库存编号：
IXFK88N20Q-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX88N20Q
仓库库存编号：
IXFX88N20Q-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB60NE06L-16T4
仓库库存编号：
STB60NE06L-16T4-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 60A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP60NE06L-16
仓库库存编号：
STP60NE06L-16-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV30N50P
仓库库存编号：
IXTV30N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV30N50PS
仓库库存编号：
IXTV30N50PS-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV26N60P
仓库库存编号：
IXTV26N60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV26N60PS
仓库库存编号：
IXTV26N60PS-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV30N50P
仓库库存编号：
IXFV30N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV30N50PS
仓库库存编号：
IXFV30N50PS-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4150pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
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