产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9024TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9024PBFCT-ND
别名：*IRFR9024TRPBF
IRFR9024PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-252AA
型号：
RFD14N05SM9A
仓库库存编号：
RFD14N05SM9ACT-ND
别名：RFD14N05SM9ACT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.6A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9020PBF
仓库库存编号：
IRFD9020PBF-ND
别名：*IRFD9020PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.6A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9024PBF
仓库库存编号：
IRFD9024PBF-ND
别名：*IRFD9024PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z24PBF
仓库库存编号：
IRF9Z24PBF-ND
别名：*IRF9Z24PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9024PBF
仓库库存编号：
IRFU9024PBF-ND
别名：*IRFU9024PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.9W（Ta），48W（Tc） TO-252-3
型号：
MTD3055VL
仓库库存编号：
MTD3055VLCT-ND
别名：MTD3055VLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 54W（Tj） D-Pak
型号：
FCD5N60_F085
仓库库存编号：
FCD5N60_F085CT-ND
别名：FCD5N60_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
MTP3055VL
仓库库存编号：
MTP3055VLFS-ND
别名：MTP3055VLFS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24SPBF
仓库库存编号：
IRF9Z24SPBF-ND
别名：IRF9Z24SPBFCT
IRF9Z24SPBFCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 8.5A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9Z24GPBF
仓库库存编号：
IRFI9Z24GPBF-ND
别名：*IRFI9Z24GPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C468NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C468NLT3G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C468NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C468NLT1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），37A（Tc） 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C468NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C468NLAFT1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C468NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C468NLWFT3G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5W（Ta），28W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C468NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C468NLWFT1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9024TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR9024TRLPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9024TRRPBF
仓库库存编号：
IRFR9024TRRPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9Z24STRLPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24STRRPBF
仓库库存编号：
IRF9Z24STRRPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 60V 11A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z24
仓库库存编号：
IRF9Z24-ND
别名：*IRF9Z24
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24S
仓库库存编号：
IRF9Z24S-ND
别名：*IRF9Z24S
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 11A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z24STRR
仓库库存编号：
IRF9Z24STRR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 60V 1.6A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9020
仓库库存编号：
IRFD9020-ND
别名：*IRFD9020
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 60V 1.6A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9024
仓库库存编号：
IRFD9024-ND
别名：*IRFD9024
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V,
含铅
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