产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET，MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (11)
ON Semiconductor (2)
STMicroelectronics (5)
Vishay Siliconix (11)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
型号：
FQD7P20TM
仓库库存编号：
FQD7P20TMCT-ND
别名：FQD7P20TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD120AN15A0
仓库库存编号：
FDD120AN15A0CT-ND
别名：FDD120AN15A0CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF634PBF
仓库库存编号：
IRF634PBF-ND
别名：*IRF634PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 200V 5.2A（Tc） 45W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF7P20
仓库库存编号：
FQPF7P20-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 3.13W（Ta），90W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB7P20TM
仓库库存编号：
FQB7P20TMCT-ND
别名：FQB7P20TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI634GPBF
仓库库存编号：
IRFI634GPBF-ND
别名：*IRFI634GPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 3.13W（Ta），90W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB7P20TM_F085
仓库库存编号：
FQB7P20TM_F085CT-ND
别名：FQB7P20TM_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
STP40NF03L
仓库库存编号：
497-3187-5-ND
别名：497-3187-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 250V 14A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 150W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD458
仓库库存编号：
785-1353-1-ND
别名：785-1353-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF634STRRPBF
仓库库存编号：
IRF634STRRPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF634
仓库库存编号：
IRF634ST-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
STP8NS25
仓库库存编号：
STP8NS25-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 8A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STP8NS25FP
仓库库存编号：
STP8NS25FP-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 23A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30V 23A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF40NF03L
仓库库存编号：
STF40NF03L-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF634
仓库库存编号：
IRF634IR-ND
别名：*IRF634
IRF634-ND
IRF634IR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF634S
仓库库存编号：
IRF634S-ND
别名：*IRF634S
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 250V 5.6A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI634G
仓库库存编号：
IRFI634G-ND
别名：*IRFI634G
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 250V 8.1A（Tc） I2PAK
型号：
IRF634L
仓库库存编号：
IRF634L-ND
别名：*IRF634L
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF634STRL
仓库库存编号：
IRF634STRL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF634STRR
仓库库存编号：
IRF634STRR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 60V 12A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
MTP2955V
仓库库存编号：
MTP2955VOS-ND
别名：MTP2955VOS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 12A（Tc） 60W（Tc） DPAK-3
型号：
MTD2955VT4
仓库库存编号：
MTD2955VT4OS-ND
别名：MTD2955VT4OS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF634SPBF
仓库库存编号：
IRF634SPBF-ND
别名：*IRF634SPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5
详细描述：通孔 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220-5
型号：
IRC634PBF
仓库库存编号：
IRC634PBF-ND
别名：*IRC634PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP120AN15A0
仓库库存编号：
FDP120AN15A0-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 770pF @ 25V,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
