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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 27W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R800CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R800CEXKSA1-ND
  别名：SP001276046
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 373pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 27W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R750E6
  仓库库存编号：IPA60R750E6-ND
  别名：IPA60R750E6XKSA1
  SP000842480
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 373pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8.4A（Tc） 27W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN60R800CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAN60R800CEXKSA1-ND
  别名：SP001508822
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 373pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 48W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R800CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R800CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R800CEATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 373pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R750E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R750E6ATMA1-ND
  别名：SP001117728
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 373pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R750E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R750E6XKSA1-ND
  别名：IPP60R750E6
  IPP60R750E6-ND
  SP000842482
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 373pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R750E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R750E6BTMA1CT-ND
  别名：IPD60R750E6BTMA1CT
  IPD60R750E6CT
  IPD60R750E6CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 373pF @ 100V,
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