产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5850pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 68V 96A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP80N70F6
仓库库存编号:
497-13554-5-ND
别名:497-13554-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5850pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 68V 110A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 176W(Tc) TO-220
型号:
STP110N7F6
仓库库存编号:
STP110N7F6-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5850pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 176W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH110N7F6-2
仓库库存编号:
STH110N7F6-2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5850pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM60N20-35_GE3
仓库库存编号:
SQM60N20-35_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5850pF @ 25V,
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 89A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-220
型号:
NP89N04MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP89N04MUK-S18-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5850pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 89A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-262
型号:
NP89N04NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP89N04NUK-S18-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5850pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-263
型号:
NP89N04PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP89N04PUK-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5850pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.2W(Ta),147W(Tc) TO-252
型号:
NP90N04VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP90N04VUK-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5850pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 100A
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-220
型号:
N0439N-S19-AY
仓库库存编号:
N0439N-S19-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5850pF @ 25V,
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