产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(1)
TO-261-4，TO-261AA(3)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(14)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(15)
TO-220-3(8)
TO-220-3 整包(2)
SC-100，SOT-669(1)
4-DIP（0.300"，7.62mm）(2)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(4)
TO-220-3 全封装，隔离接片(1)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(4)
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STMicroelectronics(4)
Fairchild/ON Semiconductor(6)
Nexperia USA Inc.(1)
Vishay Siliconix(21)
Infineon Technologies(23)
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表面贴装(34)
通孔(21)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(14)
-55°C ~ 175°C（TJ）(41)
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-(21)
STripFET?? II(4)
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?(1)
QFET?(5)
汽车级，AEC-Q101，PowerTrench?(1)
HEXFET?(22)
汽车级，AEC-Q101，HEXFET?(1)
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剪切带（CT） (10)
带卷（TR） (17)
管件 (27)
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在售(23)
已不再提供(1)
过期(31)
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8-SO(1)
SOT-223(2)
D-Pak(14)
D2PAK(13)
TO-220-3(2)
TO-220AB(7)
LFPAK56，Power-SO8(1)
D2PAK（TO-263AB）(2)
TO-220F(1)
I-Pak(2)
4-DIP，Hexdip，HVMDIP(2)
TO-251AA(2)
TO-262(2)
TO-220 整包(1)
PG-SOT223(1)
TO-262-3(2)
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MOSFET（金属氧化物）(55)
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±20V(9)
±16V(25)
±10V(21)
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18nC @ 5V(25)
41nC @ 10V(3)
40nC @ 10V(1)
8.4nC @ 5V(1)
48nC @ 10V(3)
26nC @ 4.5V(21)
28.5nC @ 10V(1)
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60 毫欧 @ 12A，10V(1)
65 毫欧 @ 12A，10V(1)
100 毫欧 @ 1.5A，5V(2)
100 毫欧 @ 7.8A，10V(2)
100 毫欧 @ 8.4A，5V(10)
110 毫欧 @ 5A，10V(1)
26 毫欧 @ 20A，10V(14)
70 毫欧 @ 2A，10V(1)
35 毫欧 @ 29A，10V(1)
40 毫欧 @ 3.8A，10V(3)
100 毫欧 @ 10A，5V(8)
100 毫欧 @ 6.8A，10V(1)
77 毫欧 @ 11A，10V(1)
100 毫欧 @ 9.5A，10V(2)
31 毫欧 @ 21A，10V(7)
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5V(1)
10V(5)
5V，10V(5)
4.5V，10V(21)
4V，10V(3)
4V，5V(20)
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N 沟道(55)
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12A（Tc）(1)
35A（Tc）(7)
4A（Tc）(1)
3.8A（Ta）(2)
2.5A（Ta）(2)
23A（Tc）(1)
17A（Tc）(8)
26A（Tc）(1)
19A（Tc）(2)
29A（Tc）(1)
38A（Tc）(14)
14A（Tc）(10)
15.6A（Tc）(2)
13.6A（Tc）(1)
22A（Tc）(1)
5.2A（Ta）(1)
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870pF @ 25V(55)
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-(55)
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4V @ 250μA(4)
2V @ 250μA(28)
1V @ 250μA(21)
3V @ 250μA(1)
2.1V @ 1mA(1)
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45W（Tc）(1)
60W（Tc）(2)
70W（Tc）(1)
75W（Tc）(1)
100W（Tc）(1)
1W（Ta）(3)
1.3W（Ta）(2)
2.5W（Ta），50W（Tc）(2)
37W（Tc）(2)
2.5W（Ta）(1)
38W（Tc）(1)
85W（Tc）(2)
2.5W（Ta），42W（Tc）(8)
3.8W（Ta），68W（Tc）(8)
68W（Tc）(13)
3.7W（Ta），60W（Tc）(6)
3.75W（Ta），75W（Tc）(1)
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100V(10)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD15NF10T4
仓库库存编号：
497-7958-1-ND
别名：497-7958-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD024PBF
仓库库存编号：
IRLD024PBF-ND
别名：*IRLD024PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
型号：
STP24NF10
仓库库存编号：
497-3185-5-ND
别名：497-3185-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD19N10LTM
仓库库存编号：
FQD19N10LTMCT-ND
别名：FQD19N10LTMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TRPBF
仓库库存编号：
IRLR024TRPBFCT-ND
别名：*IRLR024TRPBF
IRLR024TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024
仓库库存编号：
IRLR024-ND
别名：*IRLR024
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU024PBF
仓库库存编号：
IRLU024PBF-ND
别名：*IRLU024PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK9Y113-100E,115
仓库库存编号：
1727-1854-1-ND
别名：1727-1854-1
568-11545-1
568-11545-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Ta） 1W（Ta） PG-SOT223
型号：
AUIRLL2705TR
仓库库存编号：
AUIRLL2705TRCT-ND
别名：AUIRLL2705TRCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-262-3
型号：
IRLZ24LPBF
仓库库存编号：
IRLZ24LPBF-ND
别名：*IRLZ24LPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76419S3ST_F085
仓库库存编号：
HUF76419S3ST_F085CT-ND
别名：HUF76419S3ST_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRLL2705TRPBF
仓库库存编号：
IRLL2705PBFCT-ND
别名：*IRLL2705TRPBF
IRLL2705PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ24PBF
仓库库存编号：
IRLZ24PBF-ND
别名：*IRLZ24PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220 整包
型号：
IRLIZ24GPBF
仓库库存编号：
IRLIZ24GPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TRLPBF
仓库库存编号：
IRLR024TRLPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24SPBF
仓库库存编号：
IRLZ24SPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLIZ24G
仓库库存编号：
IRLIZ24G-ND
别名：*IRLIZ24G
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TR
仓库库存编号：
IRLR024TR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TRL
仓库库存编号：
IRLR024TRL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU024
仓库库存编号：
IRLU024-ND
别名：*IRLU024
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 22A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 22A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540
仓库库存编号：
497-2758-5-ND
别名：497-2758-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
STS4NF100
仓库库存编号：
497-8043-1-ND
别名：497-8043-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ24
仓库库存编号：
IRLZ24-ND
别名：*IRLZ24
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD024
仓库库存编号：
IRLD024-ND
别名：*IRLD024
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3303D1STRR
仓库库存编号：
IRL3303D1STRR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V,
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