产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N100TM
仓库库存编号:
FQD2N100TMCT-ND
别名:FQD2N100TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N10LTM
仓库库存编号:
FQD13N10LTMCT-ND
别名:FQD13N10LTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) I-Pak
型号:
FQU13N10LTU
仓库库存编号:
FQU13N10LTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6006ANX
仓库库存编号:
R6006ANX-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.9A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FQD17N08LTM
仓库库存编号:
FQD17N08LTMCT-ND
别名:FQD17N08LTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7606TR
仓库库存编号:
IRF7606CT-ND
别名:*IRF7606TR
IRF7606
IRF7606CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7606TRPBF
仓库库存编号:
IRF7606TRPBFCT-ND
别名:IRF7606TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12.8A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP13N10L
仓库库存编号:
FQP13N10L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N100TU
仓库库存编号:
FQU2N100TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF13N10L
仓库库存编号:
FQPF13N10L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N10LTF
仓库库存编号:
FQD13N10LTF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 16.5A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP17N08L
仓库库存编号:
FQP17N08L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 12.9A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FQD17N08LTF
仓库库存编号:
FQD17N08LTF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 80V 11.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF17N08L
仓库库存编号:
FQPF17N08L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12.8A(Tc) 3.75W(Ta),65W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB13N10LTM
仓库库存编号:
FQB13N10LTM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 16.5A(Tc) 3.75W(Ta),65W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB17N08LTM
仓库库存编号:
FQB17N08LTM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 16.5A(Tc) 3.75W(Ta),65W(Tc) I2PAK
型号:
FQI17N08LTU
仓库库存编号:
FQI17N08LTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N100TF
仓库库存编号:
FQD2N100TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N10LTM_NBEL001
仓库库存编号:
FQD13N10LTM_NBEL001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7603TR
仓库库存编号:
IRF7603CT-ND
别名:*IRF7603TR
IRF7603
IRF7603CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP372 E6327
仓库库存编号:
BSP372 E6327-ND
别名:BSP372E6327T
SP000011120
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP372L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP372L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP372L6327
BSP372L6327INCT
BSP372L6327INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7603TRPBF
仓库库存编号:
IRF7603TRPBFCT-ND
别名:IRF7603TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 520pF @ 25V,
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