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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
  
  型号：SI5476DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5476DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5476DU-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4436DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4436DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4436DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4436DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4436DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4436DY-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 30V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4436CS RLG
  仓库库存编号：TSM4436CS RLGTR-ND
  别名：TSM4436CS RLGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 30V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4436CS RLG
  仓库库存编号：TSM4436CS RLGCT-ND
  别名：TSM4436CS RLGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 30V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4436CS RLG
  仓库库存编号：TSM4436CS RLGDKR-ND
  别名：TSM4436CS RLGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4264E
  仓库库存编号：AO4264E-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 30V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 19A TO251B
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta） 59.5W（Tc） TO-251B
  
  型号：AOY2610E
  仓库库存编号：AOY2610E-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
  
  型号：SI5476DU-T1-E3
  仓库库存编号：SI5476DU-T1-E3CT-ND
  别名：SI5476DU-T1-E3CT
  SI5476DUT1E3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 30V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Ta） 45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM10N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM10N06CP ROGTR-ND
  别名：TSM10N06CP ROGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 30V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Ta） 45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM10N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM10N06CP ROGCT-ND
  别名：TSM10N06CP ROGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 30V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Ta） 45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM10N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM10N06CP ROGDKR-ND
  别名：TSM10N06CP ROGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD230N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD230N06NGBTMA1TR-ND
  别名：IPD230N06N G
  IPD230N06N G-ND
  IPD230N06NGXT
  SP000204196
  SP000450200
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 30V,
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