产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.2A(Ta) 3.7W(Ta),107W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5844NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5844NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5844NLT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11.2A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.2A(Ta) 3.7W(Ta),107W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5844NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5844NLT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5844NLT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 61A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.2A(Ta) 3.7W(Ta),107W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5844NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5844NLWFT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 61A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.2A(Ta) 3.7W(Ta),107W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5844NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5844NLWFT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ46ZSTRLPBF-ND
别名:SP001571826
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 50A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP50N085T
仓库库存编号:
IXTP50N085T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 50A(Tc) 130W(Tc) TO-252
型号:
IXTY50N085T
仓库库存编号:
IXTY50N085T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60S5HKSA1-ND
别名:SPP11N60S5
SPP11N60S5IN
SPP11N60S5IN-ND
SPP11N60S5X
SPP11N60S5XTIN
SPP11N60S5XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 82W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU30N03S2L-10
仓库库存编号:
SPU30N03S2L-10IN-ND
别名:SP000013467
SPU30N03S2L-10IN
SPU30N03S2L-10XTIN
SPU30N03S2L-10XTIN-ND
SPU30N03S2L10X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ46Z
仓库库存编号:
IRFZ46Z-ND
别名:*IRFZ46Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46ZS
仓库库存编号:
IRFZ46ZS-ND
别名:*IRFZ46ZS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ46ZL
仓库库存编号:
IRFZ46ZL-ND
别名:*IRFZ46ZL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ46ZPBF
仓库库存编号:
IRFZ46ZPBF-ND
别名:*IRFZ46ZPBF
SP001571882
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46ZSPBF
仓库库存编号:
IRFZ46ZSPBF-ND
别名:*IRFZ46ZSPBF
SP001550294
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ46ZLPBF
仓库库存编号:
IRFZ46ZLPBF-ND
别名:*IRFZ46ZLPBF
SP001576304
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N60S5BKSA1
仓库库存编号:
SPI11N60S5BKSA1-ND
别名:SP000013033
SP000680992
SPI11N60S5
SPI11N60S5-ND
SPI11N60S5IN
SPI11N60S5IN-ND
SPI11N60S5X
SPI11N60S5XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N60S5FKSA1
仓库库存编号:
SPW11N60S5FKSA1-ND
别名:SP000012462
SPW11N60S5
SPW11N60S5-ND
SPW11N60S5IN
SPW11N60S5IN-ND
SPW11N60S5X
SPW11N60S5XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB11N60S5ATMA1
仓库库存编号:
SPB11N60S5ATMA1CT-ND
别名:SPB11N60S5INCT
SPB11N60S5INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 25V,
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