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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8133,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8133LQ(S-ND
  别名：TPC8133LQ(S
  TPC8133LQS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS075P03FU6TB
  仓库库存编号：RSS075P03FU6TB-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 88W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK60S06K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK60S06K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK60S06K3L(T6L1NQ
  TK60S06K3LT6L1NQ
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8062-H,LQ(CM
  仓库库存编号：TPC8062-HLQ(CM-ND
  别名：TPC8062-HLQ(CM
  TPC8062HLQCM
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta） 1.6W（Ta），42W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8062-H,LQ(CM
  仓库库存编号：TPCA8062-HLQ(CM-ND
  别名：TPCA8062-HLQ(CM
  TPCA8062HLQCM
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS075P03TB
  仓库库存编号：RSS075P03TBCT-ND
  别名：RSS075P03TBCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 40A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 40A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8011-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8011-H(TE12LQM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8042(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8042TE12LQMCT-ND
  别名：TPC8042TE12LQM
  TPC8042TE12LQMCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 26A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8005-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8005-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8005-H(TE12LQMCT
  TPCC8005HTE12LQM
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 10V,
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