产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 455W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP90N15T
仓库库存编号:
IXTP90N15T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 455W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA90N15T
仓库库存编号:
IXTA90N15T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 455W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ90N15T
仓库库存编号:
IXTQ90N15T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 455W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH90N15T
仓库库存编号:
IXTH90N15T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 36A(Tc) 560W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH36N55Q2
仓库库存编号:
IXFH36N55Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N04S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S404ATMA1-ND
别名:SP000952816
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 60A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP120NH03L
仓库库存编号:
497-7501-5-ND
别名:497-7501-5
STP120NH03L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 43A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 400V 43A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK4018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK4018DPK-00#T0-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 39A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 450V 39A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK4518DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK4518DPK-00#T0-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 35A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK5018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK5018DPK-00#T0-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK6018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK6018DPK-00#T0-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK6018DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJK6018DPM-00#T1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4100pF @ 25V,
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