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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 156W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK20V60W5,LVQ
  仓库库存编号：TK20V60W5LVQCT-ND
  别名：TK20V60W5LVQCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 300V,
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• EPC
  MOSFET NCH 60V 31A DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2031ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2031ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2031ENGRCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
  详细描述：通孔 N 沟道 17.3A（Ta） 165W（Tc） TO-247
  
  型号：TK17N65W,S1F
  仓库库存编号：TK17N65WS1F-ND
  别名：TK17N65W,S1F(S
  TK17N65WS1F
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17.3A（Ta） 165W（Tc） TO-220
  
  型号：TK17E65W,S1X
  仓库库存编号：TK17E65WS1X-ND
  别名：TK17E65W,S1X(S
  TK17E65WS1X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK20A60W5,S5VX
  仓库库存编号：TK20A60W5S5VX-ND
  别名：TK20A60W5,S5VX(M
  TK20A60W5,S5VX-ND
  TK20A60W5S5VX
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 300V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
  
  型号：TK20N60W5,S1VF
  仓库库存编号：TK20N60W5S1VF-ND
  别名：TK20N60W5,S1VF(S
  TK20N60W5S1VF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 300V,
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• EPC
  TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2031ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2031ENGR-ND
  别名：917-EPC2031ENGR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 300V,
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