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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8441
  仓库库存编号：FDB8441CT-ND
  别名：FDB8441CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120P04P4L03AKSA1
  仓库库存编号：IPP120P04P4L03AKSA1-ND
  别名：SP000842300
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 960W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB80N50Q2
  仓库库存编号：IXFB80N50Q2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8441
  仓库库存编号：FDP8441-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120P04P4L03ATMA1
  仓库库存编号：IPB120P04P4L03ATMA1CT-ND
  别名：IPB120P04P4L03ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 60A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN60N60
  仓库库存编号：IXFN60N60-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 880W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH160N15T2
  仓库库存编号：IXFH160N15T2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 30A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE34N100
  仓库库存编号：IXFE34N100-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 33A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE36N100
  仓库库存编号：IXFE36N100-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120P04P4L03AKSA1
  仓库库存编号：IPI120P04P4L03AKSA1-ND
  别名：SP000842296
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 26A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI8441
  仓库库存编号：FDI8441-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 23A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8441_F085
  仓库库存编号：FDP8441_F085-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 88A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 88A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
  
  型号：NP88N04NUG-S18-AY
  仓库库存编号：NP88N04NUG-S18-AY-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 26A（Ta），80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI8441_F085
  仓库库存编号：FDI8441_F085-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 88A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 88A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：NP88N04KUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP88N04KUG-E1-AY-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15000pF @ 25V,
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