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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110P04-04L-E3
  仓库库存编号：SUM110P04-04L-E3CT-ND
  别名：SUM110P04-04L-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11200pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 53A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE53NC50
  仓库库存编号：497-2776-5-ND
  别名：497-2776-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 90A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 90A（Tc） 694W（Tc） SP4
  
  型号：APTM50DAM38CTG
  仓库库存编号：APTM50DAM38CTG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11200pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 90A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 90A（Tc） 694W（Tc） SP4
  
  型号：APTM50DAM38TG
  仓库库存编号：APTM50DAM38TG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11200pF @ 25V,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 90A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 90A（Tc） 694W（Tc） SP4
  
  型号：APTM50SKM38TG
  仓库库存编号：APTM50SKM38TG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11200pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 90A TO-263
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），217W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP90N04MUG-S18-AY
  仓库库存编号：NP90N04MUG-S18-AY-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11200pF @ 25V,
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