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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7N105K5
  仓库库存编号：497-15271-5-ND
  别名：497-15271-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU7N105K5
  仓库库存编号：497-15249-5-ND
  别名：497-15249-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 4A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：STW7N105K5
  仓库库存编号：497-15285-5-ND
  别名：497-15285-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP7N105K5
  仓库库存编号：497-15279-5-ND
  别名：497-15279-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 36.7W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R950CFDBTMA1
  仓库库存编号：IPD65R950CFDBTMA1CT-ND
  别名：IPD65R950CFDBTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 100V,
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• EPC
  TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 模具剖面（7 焊条）
  
  型号：EPC2010CENGR
  仓库库存编号：917-EPC2010CENGRCT-ND
  别名：917-EPC2010CENGRCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.9A（Tc） 36.7W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R950CFDATMA1
  仓库库存编号：IPD65R950CFDATMA1-ND
  别名：SP001117750
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 380pF @ 100V,
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