产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD1NK80ZT4
仓库库存编号:
497-4751-1-ND
别名:497-4751-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 300mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ1NK80ZR-AP
仓库库存编号:
497-6197-1-ND
别名:497-6197-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223
型号:
STN1NK80Z
仓库库存编号:
497-4669-1-ND
别名:497-4669-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML9303TRPBF
仓库库存编号:
IRLML9303TRPBFCT-ND
别名:IRLML9303TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP315PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP315PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP315PH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 30W(Tc) I-Pak
型号:
STD2NC45-1
仓库库存编号:
497-12554-5-ND
别名:497-12554-5
STD2NC45-1-ND
STD2NC451
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD1NK80Z-1
仓库库存编号:
497-16198-5-ND
别名:497-16198-5
STD1NK80Z-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Tc) 41.7W(Tc) TO-220
型号:
AOT1N60
仓库库存编号:
785-1184-5-ND
别名:785-1184-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.3A(Tc) 45W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD1N60
仓库库存编号:
785-1179-1-ND
别名:785-1179-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 500mA(Tc) 3.1W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ1NC45R-AP
仓库库存编号:
STQ1NC45R-AP-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Tc) 45W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU1N60
仓库库存编号:
AOU1N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Tc) 45W(Tc) TO-251A
型号:
AOI1N60
仓库库存编号:
AOI1N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 46W(Tc) D-Pak
型号:
STD2NM60T4
仓库库存编号:
STD2NM60T4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.3A(Tc) 45W(Tc) TO-251A
型号:
AOI1N60L
仓库库存编号:
785-1536-5-ND
别名:AOI1N60L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.5A(Tc) 46W(Tc) I-Pak
型号:
NDD01N60-1G
仓库库存编号:
NDD01N60-1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.5A(Tc) 46W(Tc) DPAK
型号:
NDD01N60T4G
仓库库存编号:
NDD01N60T4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 400mA(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223(TO-261)
型号:
NDT01N60T1G
仓库库存编号:
NDT01N60T1GOSCT-ND
别名:NDT01N60T1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL1006
仓库库存编号:
IRFL1006-ND
别名:*IRFL1006
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL1006TR
仓库库存编号:
IRFL1006TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP315P-E6327
仓库库存编号:
BSP315PINCT-ND
别名:BSP315PE6327
BSP315PINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL1006PBF
仓库库存编号:
IRFL1006PBF-ND
别名:*IRFL1006PBF
SP001571088
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP315PE6327T
仓库库存编号:
BSP315PXTINCT-ND
别名:BSP315PXTINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.5A(Tc) 6.25W(Tc) SOT-223
型号:
PHT2NQ10T,135
仓库库存编号:
PHT2NQ10T,135-ND
别名:934056839135
PHT2NQ10T /T3
PHT2NQ10T /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP315PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP315PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSP315PL6327
BSP315PL6327INCT
BSP315PL6327INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V,
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