产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223
型号:
STN4NF03L
仓库库存编号:
497-4525-1-ND
别名:497-4525-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4310TRPBF
仓库库存编号:
IRFL4310TRPBFCT-ND
别名:IRFL4310TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NTRPBF
仓库库存编号:
IRFR120NPBFCT-ND
别名:*IRFR120NTRPBF
IRFR120NPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 625mW(Ta) SOT-26
型号:
ZXM62P03E6TA
仓库库存编号:
ZXM62P03E6CT-ND
别名:ZXM62P03E6
ZXM62P03E6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7465TRPBF
仓库库存编号:
IRF7465PBFCT-ND
别名:*IRF7465TRPBF
IRF7465PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520NPBF
仓库库存编号:
IRF520NPBF-ND
别名:*IRF520NPBF
SP001571310
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 9.4A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU120NPBF
仓库库存编号:
IRFU120NPBF-ND
别名:*IRFU120NPBF
SP001557678
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RCD051N20TL
仓库库存编号:
RCD051N20TLCT-ND
别名:RCD051N20TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF520NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF520NSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX081N20
仓库库存编号:
RCX081N20-ND
别名:RCX081N20CT
RCX081N20CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 2W(Tc) 8-SO
型号:
STS4DNFS30
仓库库存编号:
497-6187-1-ND
别名:497-6187-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 8A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
RCJ081N20TL
仓库库存编号:
RCJ081N20TLCT-ND
别名:RCJ081N20TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BUK98150-55/CUF
仓库库存编号:
1727-2223-1-ND
别名:1727-2223-1
568-12491-1
568-12491-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4A(Tc) 2W(Tc) 8-SO
型号:
STS4DNFS30L
仓库库存编号:
497-3227-1-ND
别名:497-3227-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 22A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 22A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
STP22NF03L
仓库库存编号:
497-7516-5-ND
别名:497-7516-5
STP22NF03L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.6A(Tc) 50W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU220_R4941
仓库库存编号:
IRFU220FS-ND
别名:IRFU220_R4941-ND
IRFU220FS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.9A(Ta),4A(Tc) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXM62P03GTA
仓库库存编号:
ZXM62P03GTA-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.5A(Ta) 1.8W(Ta),8.3W(Tc) SOT-223
型号:
PHT6N06LT,135
仓库库存编号:
568-7367-1-ND
别名:568-7367-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.5A(Ta) 625mW(Ta) SOT-26
型号:
ZXM62P03E6TC
仓库库存编号:
ZXM62P03E6TCDI-ND
别名:ZXM62P03E6TCDI
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.5A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BUK98150-55,135
仓库库存编号:
568-12235-1-ND
别名:568-11891-1
568-11891-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520N
仓库库存编号:
IRF520N-ND
别名:*IRF520N
SP001571320
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4310TR
仓库库存编号:
IRFL4310CT-ND
别名:*IRFL4310TR
IRFL4310CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.6A(Tc) 30W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI520N
仓库库存编号:
IRFI520N-ND
别名:*IRFI520N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NS
仓库库存编号:
IRF520NS-ND
别名:*IRF520NS
SP001559622
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF520NL
仓库库存编号:
IRF520NL-ND
别名:*IRF520NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V,
含铅
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