产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (6)
STMicroelectronics (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 80W(Tc) D-Pak
型号:
STD4NK80ZT4
仓库库存编号:
497-8910-1-ND
别名:497-8910-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4NK80Z
仓库库存编号:
497-3192-5-ND
别名:497-3192-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF630NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF630NSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF630NPBF
仓库库存编号:
IRF630NPBF-ND
别名:*IRF630NPBF
SP001564792
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 80W(Tc) I-Pak
型号:
STD4NK80Z-1
仓库库存编号:
497-12560-5-ND
别名:497-12560-5
STD4NK80Z-1-ND
STD4NK80Z1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP4NK80ZFP
仓库库存编号:
STP4NK80ZFP-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NS
仓库库存编号:
IRF630NS-ND
别名:*IRF630NS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRF630NL
仓库库存编号:
IRF630NL-ND
别名:*IRF630NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NSTRR
仓库库存编号:
IRF630NSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-262
型号:
IRF630NLPBF
仓库库存编号:
IRF630NLPBF-ND
别名:*IRF630NLPBF
SP001559690
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号