产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 312W(Tc) D2PAK
型号:
STB120NF10T4
仓库库存编号:
497-2452-1-ND
别名:497-2452-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 312W(Tc) TO-247-3
型号:
STW120NF10
仓库库存编号:
497-5166-5-ND
别名:497-5166-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK625R0-40C,118
仓库库存编号:
1727-5434-1-ND
别名:1727-5434-1
568-6901-1
568-6901-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 46A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP260PBF
仓库库存编号:
IRFP260PBF-ND
别名:*IRFP260PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 41A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 41A(Tc) 45W(Tc) TO-220FP
型号:
STF120NF10
仓库库存编号:
497-12567-5-ND
别名:497-12567-5
STF120NF10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 33A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8020JLL
仓库库存编号:
APT8020JLL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 694W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT8020LFLLG
仓库库存编号:
APT8020LFLLG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 158W(Tc) D2PAK
型号:
BUK664R6-40C,118
仓库库存编号:
1727-5526-1-ND
别名:1727-5526-1
568-7005-1
568-7005-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 312W(Tc) TO-220AB
型号:
STP120NF10
仓库库存编号:
497-4118-5-ND
别名:497-4118-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 176.5W(Tc) TO-220
型号:
STP200N3LL
仓库库存编号:
497-16935-ND
别名:497-16935
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 60A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH60N20
仓库库存编号:
IXFH60N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 800V 38A(Tc) 694W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT8020B2LLG
仓库库存编号:
APT8020B2LLG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N04S304ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S304ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S3-04CT
IPD90N04S3-04CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S304ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S304ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S3-04CT
IPB80N04S3-04CT-ND
IPB80N04S304
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 158W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK654R8-40C,127
仓库库存编号:
568-7501-5-ND
别名:568-7501-5
934064242127
BUK654R8-40C,127-ND
BUK654R840C127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 60A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC60N20
仓库库存编号:
IXFC60N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S304AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S304AKSA1-ND
别名:IPI80N04S3-04
IPI80N04S3-04-ND
SP000261226
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S3-04
仓库库存编号:
IPP80N04S3-04-ND
别名:IPP80N04S304
IPP80N04S304AKSA1
SP000261230
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V,
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