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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB12NK80ZT4
  仓库库存编号：497-4320-1-ND
  别名：497-4320-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2620pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW12NK80Z
  仓库库存编号：497-3256-5-ND
  别名：497-3256-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2620pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12NK80Z
  仓库库存编号：STF12NK80Z-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2620pF @ 25V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10.5A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12NK80Z
  仓库库存编号：497-6737-5-ND
  别名：497-6737-5
  STP12NK80Z-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2620pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L09ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S2L09ATMA2-ND
  别名：SP001061720
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2620pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L09AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2L09AKSA2-ND
  别名：SP001061718
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2620pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S2L09ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S2L09ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S2L-09
  IPB80N06S2L-09-ND
  SP000218743
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2620pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L09AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S2L09AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S2L-09
  IPP80N06S2L-09-ND
  SP000218742
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2620pF @ 25V,
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