产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10700pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH30N60L2
仓库库存编号:
IXTH30N60L2-ND
别名:622201
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10700pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT30N60L2
仓库库存编号:
IXTT30N60L2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10700pF @ 25V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 190A 568W(Tc) SOT-227
型号:
VS-FB190SA10
仓库库存编号:
VS-FB190SA10-ND
别名:FB190SA10
FB190SA10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10700pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ407EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ407EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ407EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10700pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 300A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 300A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP300N04T2
仓库库存编号:
IXTP300N04T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10700pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 300A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA300N04T2
仓库库存编号:
IXTA300N04T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10700pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 300A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA300N04T2-7
仓库库存编号:
IXTA300N04T2-7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10700pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 300A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300A(Tc) 480W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH300N04T2
仓库库存编号:
IXTH300N04T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10700pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N60L2
仓库库存编号:
IXTQ30N60L2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10700pF @ 25V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 180A(Tc) 480W(Tc) SOT-227B
型号:
FB180SA10
仓库库存编号:
FB180SA10-ND
别名:*FB180SA10
VS-FB180SA10
VS-FB180SA10-ND
VSFB180SA10
VSFB180SA10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10700pF @ 25V,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 180A(Tc) 480W(Tc) SOT-227
型号:
VS-FB180SA10P
仓库库存编号:
VS-FB180SA10P-ND
别名:VSFB180SA10P
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10700pF @ 25V,
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