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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 90A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK90N25L2
  仓库库存编号：IXTK90N25L2-ND
  别名：622089
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX90N25L2
  仓库库存编号：IXTX90N25L2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 1040W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK200N10L2
  仓库库存编号：IXTK200N10L2-ND
  别名：Q7017004
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 72A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN82N60P
  仓库库存编号：IXFN82N60P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 178A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN200N10L2
  仓库库存编号：IXTN200N10L2-ND
  别名：624413
  Q5211084
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 56A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN56N90P
  仓库库存编号：IXFN56N90P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 90A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN90N25L2
  仓库库存编号：IXTN90N25L2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK110N20L2
  仓库库存编号：IXTK110N20L2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX110N20L2
  仓库库存编号：IXTX110N20L2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 82A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB82N60P
  仓库库存编号：IXFB82N60P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 55A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL82N60P
  仓库库存编号：IXFL82N60P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 300A（Tc） 1500W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB300N10P
  仓库库存编号：IXFB300N10P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX200N10L2
  仓库库存编号：IXTX200N10L2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 295A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN300N10P
  仓库库存编号：IXFN300N10P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 100A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN110N20L2
  仓库库存编号：IXTN110N20L2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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  MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 36A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN36N110P
  仓库库存编号：IXFN36N110P-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N03S4LH0ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N03S4LH0ATMA1TR-ND
  别名：IPB180N03S4L-H0
  IPB180N03S4L-H0-ND
  SP000555050
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 240A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB240N04S4R9ATMA1
  仓库库存编号：IPB240N04S4R9ATMA1-ND
  别名：SP000952896
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V,
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