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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 330mA（Ta） 150mW（Ta） SSM
  
  型号：SSM3J36FS,LF
  仓库库存编号：SSM3J36FSLFCT-ND
  别名：SSM3J36FS(T5LFT)CT
  SSM3J36FS(T5LFT)CT-ND
  SSM3J36FSLFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 10V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V SC-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：SI1062X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1062X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1062X-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 0.5A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ950UPEYL
  仓库库存编号：1727-2324-2-ND
  别名：1727-2324-2
  568-12610-2
  568-12610-2-ND
  934068445315
  PMZ950UPEYL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ950UPEYL
  仓库库存编号：1727-2324-1-ND
  别名：1727-2324-1
  568-12610-1
  568-12610-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ950UPEYL
  仓库库存编号：1727-2324-6-ND
  别名：1727-2324-6
  568-12610-6
  568-12610-6-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V XQFN3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB950UPEYL
  仓库库存编号：1727-2333-1-ND
  别名：1727-2333-1
  568-12619-1
  568-12619-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1012CR-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1012CR-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1012CR-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ950UPELYL
  仓库库存编号：1727-2599-1-ND
  别名：1727-2599-1
  568-13058-1
  568-13058-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 330mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3J36MFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3J36MFVL3FCT-ND
  别名：SSM3J36MFV(TL3T)CT
  SSM3J36MFV(TL3T)CT-ND
  SSM3J36MFVL3FCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 43pF @ 10V,
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