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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3J327R,LF
  仓库库存编号：SSM3J327RLFCT-ND
  别名：SSM3J327RLFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 650mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMN3200U-7
  仓库库存编号：DMN3200U-7DICT-ND
  别名：DMN3200U-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 500mW（Ta） ES6
  
  型号：SSM6J213FE(TE85L,F
  仓库库存编号：SSM6J213FE(TE85LFCT-ND
  别名：SSM6J213FE(TE85LFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） CST3B
  
  型号：SSM3J46CTB(TPL3)
  仓库库存编号：SSM3J46CTB(TPL3)CT-ND
  别名：SSM3J46CTB(TPL3)CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RSQ035N03TR
  仓库库存编号：RSQ035N03CT-ND
  别名：RSQ035N03CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 10V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 100V 8A UG-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 1W（Ta），15W（Tc） U-G1
  
  型号：2SK303000L
  仓库库存编号：2SK303000LCT-ND
  别名：2SK303000LCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 10V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N CH 20V 2A SMINI3-G1-B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） S迷你型3-G1-B
  
  型号：MTM232270LBF
  仓库库存编号：MTM232270LBFCT-ND
  别名：MTM232270LBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 5A SOT428
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 15W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD050N06TL
  仓库库存编号：RSD050N06TLCT-ND
  别名：RSD050N06TLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 10V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 600V TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：2SK2848
  仓库库存编号：2SK2848-ND
  别名：2SK2848 DK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 5.3A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6009-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6009-H(TE85LFM-ND
  别名：TPC6009-H(TE85LFM
  TPC6009HTE85LFM
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 10V,
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