产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 830pF @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6401TRPBF
仓库库存编号:
IRLML6401PBFCT-ND
别名:*IRLML6401TRPBF
IRLML6401PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 830pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.9W(Ta),29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR484DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR484DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR484DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 830pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8406DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8406DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8406DB-T2-E1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 830pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6401GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML6401GTRPBFCT-ND
别名:IRLML6401GTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 830pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4196DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4196DY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 830pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 8A(Tc) 2W(Ta),4.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4196DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4196DY-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 830pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6.1A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6010-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6010-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6010-H(TE85LFM
TPC6010HTE85LFM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 830pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6401TR
仓库库存编号:
IRLML6401CT-ND
别名:*IRLML6401TR
IRLML6401
IRLML6401-ND
IRLML6401CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 830pF @ 10V,
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