以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
  
  型号：SSM6J501NU,LF
  仓库库存编号：SSM6J501NULFCT-ND
  别名：SSM6J501NULF(TCT
  SSM6J501NULF(TCT-ND
  SSM6J501NULFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 60W（Tc） DP
  
  型号：TK50P04M1(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK50P04M1(T6RSSQ)CT-ND
  别名：TK50P04M1(T6RSSQ)CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），83A（Tc） 3.4W（Ta），54W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8321TRPBF
  仓库库存编号：IRFH8321TRPBFCT-ND
  别名：IRFH8321TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 1.5W（Ta）, 16.5W（Tc）
  
  型号：UPA2825T1S-E2-AT
  仓库库存编号：UPA2825T1S-E2-AT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Ta） 80W（Tc） TO-3P（N）IS
  
  型号：2SK2916(F)
  仓库库存编号：2SK2916(F)-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRS130N03TB1
  仓库库存编号：RRS130N03TB1CT-ND
  别名：RRS130N03TB1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 10V,
• 无铅
• 搜索