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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.6W（Ta） 6-SSOT
  
  型号：SI3443DV
  仓库库存编号：SI3443DVFSCT-ND
  别名：SI3443DVFSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.2W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC642P_F085
  仓库库存编号：FDC642P_F085CT-ND
  别名：FDC642P_F085CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RTF020P02TL
  仓库库存编号：RTF020P02TLCT-ND
  别名：RTF020P02TLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3443CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3443CX6 RFGTR-ND
  别名：TSM3443CX6 RFGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3443CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3443CX6 RFGCT-ND
  别名：TSM3443CX6 RFGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3443CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3443CX6 RFGDKR-ND
  别名：TSM3443CX6 RFGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3446ADV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3446ADV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3446ADV-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8021-H(TE12LQ,M
  仓库库存编号：TPC8021-H(TE12LQ,M-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.2A（Ta） 1W（Ta），30W（Tc） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8001-H(TE85LFM
  仓库库存编号：TPCP8001-H(TE85LFM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.6A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3J129TU(TE85L)
  仓库库存编号：SSM3J129TU(TE85L)CT-ND
  别名：SSM3J129TU(TE85L)CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.2A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3J321T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3J321T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3J321T(TE85LF)CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3446ADV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3446ADV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 6A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6011(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6011(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6011(TE85LFM)
  TPC6011TE85LFM
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 640pF @ 10V,
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