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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
  
  型号：SSM6K202FE,LF
  仓库库存编号：SSM6K202FELFCT-ND
  别名：SSM6K202FE(TE85LFCT
  SSM6K202FE(TE85LFCT-ND
  SSM6K202FE,LFCT
  SSM6K202FE,LFCT-ND
  SSM6K202FELF
  SSM6K202FELFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 600mW（Ta） S-Mini
  
  型号：SSM3J325F,LF
  仓库库存编号：SSM3J325FLFCT-ND
  别名：SSM3J325FLFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RTF025N03TL
  仓库库存编号：RTF025N03TLCT-ND
  别名：RTF025N03TLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG311N
  仓库库存编号：FDG311NCT-ND
  别名：FDG311NCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：QS6U22TR
  仓库库存编号：QS6U22TR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V,
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• Torex Semiconductor Ltd
  MOSFET N-CH 30V 4A SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 2W（Ta） SOT-89
  
  型号：XP161A11A1PR-G
  仓库库存编号：XP161A11A1PR-G-ND
  别名：XP161A11A1PR
  XP161A11A1PR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.3A（Ta） 900mW（Ta） 8-SO
  
  型号：FDFS2P102
  仓库库存编号：FDFS2P102CT-ND
  别名：FDFS2P102_NLCT
  FDFS2P102_NLCT-ND
  FDFS2P102CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Tc） 1.5W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
  
  型号：CSD25301W1015
  仓库库存编号：296-24259-1-ND
  别名：296-24259-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 4A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K316T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K316T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K316T(T5LFT)CT
  SSM3K316T(T5LFT)CT-ND
  SSM3K316T(TE85LF)CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 3A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K302T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K302T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K302T(TE85LF)CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 10V,
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